2SA1020-Y(T6FJT,AF الترانزستورات أحادية القطب

Specifications

PDF(1)

يكتب	وصف
MFR	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل	-
طَرد	حجم كبير
حالة المنتج	OBSOLETE
الحزمة / القضية	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
نوع التركيب	Through Hole
نوع الترانزستور	PNP
درجة حرارة التشغيل	150°C (TJ)
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)	1µA (ICBO)
كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic, Vce	70 @ 500mA, 2V
التردد - الانتقال	100MHz
حزمة جهاز المورد	TO-92MOD
الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)	2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)	50 V
أقصى القوة	900 mW