| يكتب | وصف |
| MFR | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| مسلسل | - |
| طَرد | حجم كبير |
| حالة المنتج | OBSOLETE |
| الحزمة / القضية | TO-220-3 |
| نوع التركيب | Through Hole |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع فيت | N-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 6A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 1.25Ohm @ 3A, 10V |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 80W (Tc) |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 4V @ 1mA |
| حزمة جهاز المورد | TO-220AB |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 10V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | ±30V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 600 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 1300 pF @ 10 V |
