| يكتب | وصف |
| MFR | Goford Semiconductor |
| مسلسل | TrenchFET® |
| طَرد | الشريط والبكرة (TR) |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع فيت | P-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 4.2A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 55mOhm @ 4A, 10V |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 1.2W (Tc) |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 1.3V @ 250µA |
| حزمة جهاز المورد | SOT-23-3 |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 4.5V, 10V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | ±12V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 30 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 9.5 nC @ 4.5 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 950 pF @ 15 V |
