| يكتب | وصف |
| MFR | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| مسلسل | AlphaSGT2™ |
| طَرد | الشريط والبكرة (TR) |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع فيت | N-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 11A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 12.5mOhm @ 11A, 10V |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 3.1W (Ta) |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 2.6V @ 250µA |
| حزمة جهاز المورد | 8-SOIC |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 4.5V, 10V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | ±20V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 100 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 1590 pF @ 50 V |
