| يكتب | وصف |
| MFR | Anbon Semiconductor |
| مسلسل | - |
| طَرد | حجم كبير |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | TO-247-3 |
| نوع التركيب | Through Hole |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | SiCFET (Silicon Carbide) |
| نوع فيت | N-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 55mOhm @ 40A, 20V |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 330W (Tc) |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 4V @ 10mA |
| حزمة جهاز المورد | TO-247-3 |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 20V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | +25V, -10V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 1200 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 142 nC @ 20 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 2946 pF @ 1000 V |
