BY25Q128ESSIG(T)
  • image of ذاكرة> BY25Q128ESSIG(T)
BY25Q128ESSIG(T)
Product_Category
ذاكرة
الصانع
BYTe Semiconductor
النوع
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
تغليف
Packages
أنبوب
RoHS
YES
الأسعار
$1.0000
{{title}}
{{description}}
captcha
{{btnStr}}
Specifications
PDF(1)
يكتبوصف
MFRBYTe Semiconductor
مسلسل-
طَردأنبوب
حالة المنتجACTIVE
الحزمة / القضية8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
نوع التركيبSurface Mount
حجم الذاكرة128Mbit
نوع الذاكرةNon-Volatile
درجة حرارة التشغيل-40°C ~ 85°C (TA)
الجهد - العرض2.7V ~ 3.6V
تكنولوجياFLASH - NOR (SLC)
تردد الساعة120 MHz
تنسيق الذاكرةFLASH
حزمة جهاز المورد8-SOP
كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة60µs, 2.4ms
واجهة الذاكرةSPI - Quad I/O
وقت الوصول7.5 ns
منظمة الذاكرة16M x 8
related
BR25H08ANUX-5ACTR
BR25H08ANUX-5ACTR ROHM Semiconductor
$0.3700
S-24C16CH-J8T2U3
S-24C16CH-J8T2U3 ABLIC
$0.2900
S-24C128CH-J8T2U3
S-24C128CH-J8T2U3 ABLIC
$0.5200
S-93C86CD0H-A8T1U3
S-93C86CD0H-A8T1U3 ABLIC
$0.3400
S-24C64CH-K8T2U3
S-24C64CH-K8T2U3 ABLIC
$0.3800
+86 13670100993
c