BY25Q128ESWIG(R)
  • image of ذاكرة> BY25Q128ESWIG(R)
BY25Q128ESWIG(R)
Product_Category
ذاكرة
الصانع
BYTe Semiconductor
النوع
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
تغليف
Packages
الشريط والبكرة (TR)
RoHS
YES
الأسعار
$0.6700
{{title}}
{{description}}
captcha
{{btnStr}}
Specifications
PDF(1)
يكتبوصف
MFRBYTe Semiconductor
مسلسل-
طَردالشريط والبكرة (TR)
حالة المنتجACTIVE
الحزمة / القضية8-WDFN Exposed Pad
نوع التركيبSurface Mount
حجم الذاكرة128Mbit
نوع الذاكرةNon-Volatile
درجة حرارة التشغيل-40°C ~ 85°C (TA)
الجهد - العرض2.7V ~ 3.6V
تكنولوجياFLASH - NOR (SLC)
تردد الساعة120 MHz
تنسيق الذاكرةFLASH
حزمة جهاز المورد8-WSON (5x6)
كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة60µs, 2.4ms
واجهة الذاكرةSPI - Quad I/O
وقت الوصول7.5 ns
منظمة الذاكرة16M x 8
+86 13670100993
c