| يكتب | وصف |
| MFR | Central Semiconductor |
| مسلسل | - |
| طَرد | الشريط والبكرة (TR) |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | 8-PowerVDFN |
| نوع التركيب | Surface Mount, Wettable Flank |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | GaNFET (Gallium Nitride) |
| نوع فيت | N-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 11.5A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 190mOhm @ 3.9A, 6V |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 1.1W (Ta), 84W (Tc) |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 2.5V @ 12.2mA |
| حزمة جهاز المورد | 8-DFN (5x6) |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 6V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | +7V, -1.4V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 650 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 2.8 nC @ 6 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 96 pF @ 400 V |
