| يكتب | وصف |
| MFR | Texas Instruments |
| مسلسل | NexFET™ |
| طَرد | الشريط والبكرة (TR) |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | 8-PowerTDFN |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع فيت | N-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 29A (Ta), 100A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 2.4mOhm @ 25A, 8V |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 3.1W (Ta), 113W (Tc) |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 1.4V @ 250µA |
| حزمة جهاز المورد | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 3V, 8V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | +10V, -8V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 25 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 19 nC @ 4.5 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 3100 pF @ 12.5 V |
