| يكتب | وصف |
| MFR | Texas Instruments |
| مسلسل | NexFET™ |
| طَرد | الشريط والبكرة (TR) |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | 6-WDFN Exposed Pad |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| إعدادات | 2 N-Channel (Dual) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| أقصى القوة | 2.3W |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 30V |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 5A |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 353pF @ 15V |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 32.4mOhm @ 4A, 10V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| ميزة FET | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 2V @ 250µA |
| حزمة جهاز المورد | 6-WSON (2x2) |
