| يكتب | وصف |
| MFR | EPC |
| مسلسل | eGaN® |
| طَرد | الشريط والبكرة (TR) |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | Die |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | GaNFET (Gallium Nitride) |
| نوع فيت | N-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 3A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 43mOhm @ 1A, 5V |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 2.5V @ 1mA |
| حزمة جهاز المورد | Die |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 5V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | +6V, -4V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 200 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 573 pF @ 100 V |
