| يكتب | وصف |
| MFR | Goford Semiconductor |
| مسلسل | TrenchFET® |
| طَرد | الشريط والبكرة (TR) |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | 8-SOP |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| إعدادات | N and P-Channel |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| أقصى القوة | 2W (Tc), 2.5W (Tc) |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 60V |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 6A (Tc) |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 22nC @ 10V, 25nC @ 10V |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA |
| حزمة جهاز المورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
