| يكتب | وصف |
| MFR | GeneSiC Semiconductor |
| مسلسل | - |
| طَرد | أنبوب |
| حالة المنتج | OBSOLETE |
| الحزمة / القضية | TO-220-2 |
| نوع التركيب | Through Hole |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| عكس وقت الاسترداد (trr) | 0 ns |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| السعة @ Vr، F | 520pF @ 1V, 1MHz |
| الحالي - المتوسط المصحح (Io) | 10A |
| حزمة جهاز المورد | TO-220-2 |
| درجة حرارة التشغيل - الوصلة | -55°C ~ 175°C |
| الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى) | 1200 V |
| الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا | 1.8 V @ 10 A |
| التيار - التسرب العكسي عند Vr | 40 µA @ 1200 V |
