GPI65007DF56
  • image of FETs الفردية، MOSFETs> GPI65007DF56
GPI65007DF56
Product_Category
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
GaNPower
النوع
GaNFET N-CH 650V 7A DFN5x6
تغليف
Packages
الشريط والبكرة (TR)
RoHS
YES
الأسعار
$3.5000
{{title}}
{{description}}
captcha
{{btnStr}}
Specifications
PDF(1)
يكتبوصف
MFRGaNPower
مسلسل-
طَردالشريط والبكرة (TR)
حالة المنتجACTIVE
نوع التركيبSurface Mount
درجة حرارة التشغيل-55°C ~ 150°C (TJ)
تكنولوجياGaNFET (Gallium Nitride)
نوع فيتN-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية7A
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف1.5V @ 3.5mA
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)6V
في جي إس (الحد الأقصى)+7.5V, -12V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)650 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs2.1 nC @ 6 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds76.1 pF @ 400 V
related
NVBLS0D8N08XTXG
NVBLS0D8N08XTXG Sanyo Semiconductor/onsemi
$3.6700
DI064P04D1
DI064P04D1 Diotec Semiconductor
$0.6100
DI068N03PQ-AQ
DI068N03PQ-AQ Diotec Semiconductor
$0.2100
DI110N04PQ
DI110N04PQ Diotec Semiconductor
$0.3600
DI110N03PQ-AQ
DI110N03PQ-AQ Diotec Semiconductor
$0.6100
+86 13670100993
c