| يكتب | وصف |
| MFR | Goford Semiconductor |
| مسلسل | - |
| طَرد | الشريط والبكرة (TR) |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | 8-PowerTDFN |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع فيت | P-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 103A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 7mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 178W (Tc) |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 2.5V @ 250µA |
| حزمة جهاز المورد | 8-DFN (4.9x5.75) |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 4.5V, 10V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | ±20V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 60 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 5326 pF @ 30 V |
