IV1D12010O2
  • image of الثنائيات المفردة> IV1D12010O2
IV1D12010O2
Product_Category
الثنائيات المفردة
الصانع
Inventchip Technology
النوع
DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220-2
تغليف
Packages
أنبوب
RoHS
YES
الأسعار
$10.8200
{{title}}
{{description}}
captcha
{{btnStr}}
Specifications
PDF(1)
يكتبوصف
MFRInventchip Technology
مسلسل-
طَردأنبوب
حالة المنتجACTIVE
الحزمة / القضيةTO-220-2
نوع التركيبThrough Hole
سرعةNo Recovery Time > 500mA (Io)
عكس وقت الاسترداد (trr)0 ns
تكنولوجياSiC (Silicon Carbide) Schottky
السعة @ Vr، F575pF @ 1V, 1MHz
الحالي - المتوسط ​​المصحح (Io)28A
حزمة جهاز الموردTO-220-2
درجة حرارة التشغيل - الوصلة-55°C ~ 175°C
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)1200 V
الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا1.8 V @ 10 A
التيار - التسرب العكسي عند Vr50 µA @ 1200 V
related
VS-16F100
VS-16F100 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
$5.5400
VS-1N1203RA
VS-1N1203RA Vishay General Semiconductor – Diodes Division
VS-1N1206RA
VS-1N1206RA Vishay General Semiconductor – Diodes Division
VS-16FR20
VS-16FR20 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
$3.2200
VS-12F10
VS-12F10 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
$3.1300
+86 13670100993
c