| يكتب | وصف |
| MFR | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| مسلسل | - |
| طَرد | أنبوب |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | TO-247-3 |
| نوع التركيب | Through Hole |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| نوع فيت | N-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 99A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 28.5mOhm @ 45A, 18V |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 348W (Tc) |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 4.3V @ 15.5mA |
| حزمة جهاز المورد | TO-247-3 |
| درجة | Automotive |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 15V, 18V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | +22V, -8V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 650 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 164 nC @ 18 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 3480 pF @ 325 V |
| مؤهل | AEC-Q101 |
