| يكتب | وصف |
| MFR | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| مسلسل | - |
| طَرد | صينية |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | Module |
| نوع التركيب | Chassis Mount |
| إعدادات | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| تكنولوجيا | Silicon Carbide (SiC) |
| أقصى القوة | 1.1kW (Tj) |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 338A (Tj) |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 16410pF @ 800V |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 5.5mOhm @ 200A, 18V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 876nC @ 20V |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 4.4V @ 120mA |
| حزمة جهاز المورد | 36-PIM (56.7x62.8) |
