| يكتب | وصف |
| MFR | Nexperia |
| مسلسل | - |
| طَرد | الشريط والبكرة (TR) |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | SC-100, SOT-669 |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع فيت | N-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 200A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 1.9mOhm @ 25A, 10V |
| ميزة FET | Schottky Diode (Body) |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 194W (Tc) |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 3.6V @ 1mA |
| حزمة جهاز المورد | LFPAK56, Power-SO8 |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 10V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | ±20V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 40 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 6297 pF @ 20 V |
