| يكتب | وصف |
| MFR | NXP Semiconductors |
| مسلسل | - |
| طَرد | حجم كبير |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | TO-220-3 |
| نوع التركيب | Through Hole |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع فيت | N-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 90A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 8.7mOhm @ 10A, 10V |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 170W (Tc) |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 4V @ 1mA |
| حزمة جهاز المورد | TO-220AB |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 10V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | ±20V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 80 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 3346 pF @ 40 V |
