| يكتب | وصف |
| MFR | ROHM Semiconductor |
| مسلسل | - |
| طَرد | الشريط والبكرة (TR) |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 175°C (TJ) |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| نوع فيت | N-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 51A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 34mOhm @ 29A, 18V |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 4.8V @ 15.4mA |
| حزمة جهاز المورد | TO-263-7LA |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 18V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | +21V, -4V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 750 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 94 nC @ 18 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 2320 pF @ 500 V |
