| يكتب | وصف |
| MFR | Transphorm |
| مسلسل | - |
| طَرد | أنبوب |
| حالة المنتج | OBSOLETE |
| الحزمة / القضية | TO-247-3 |
| نوع التركيب | Through Hole |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C |
| تكنولوجيا | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| نوع فيت | N-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 34A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 63mOhm @ 22A, 10V |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 119W (Tc) |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 4.4V @ 700µA |
| حزمة جهاز المورد | TO-247-3 |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 10V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | ±20V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 900 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 17.5 nC @ 10 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 980 pF @ 600 V |
