| يكتب | وصف |
| MFR | YAGEO XSEMI |
| مسلسل | XP3C023A |
| طَرد | الشريط والبكرة (TR) |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | 8-PowerLDFN |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| إعدادات | N and P-Channel |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| أقصى القوة | 3.57W (Ta) |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 30V |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 12A (Ta), 10A (Ta) |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 2320pF @ 15V, 2480pF @ 15V |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 10.4mOhm @ 10A, 10V, 23.5mOhm @ 7.5A, 10V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 19.2nC @ 4.5V, 21.6nC @ 4.5V |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 2.5V @ 1mA |
| حزمة جهاز المورد | PMPAK® 5 x 6 |
